RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
40
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
2804
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link