RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
40
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
37
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2804
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link