RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2804
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663QZ3-CE7 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link