RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
40
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2804
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link