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G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
55
Por volta de 55% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
55
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2135
2701
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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