RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
55
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2135
2701
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link