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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
24
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2481
2852
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
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