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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2014
2468
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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