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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Pontuação geral
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
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Razões a considerar
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
26
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2231
2783
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
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Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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