Comparação RAM G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Pontuação geral

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.3 12.8

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 39

Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.7 8.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

14200 12800

Por volta de 1.11 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2231 2650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns