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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
14200
12800
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
14200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2231
2650
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB Comparações de RAM
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB Comparações de RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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