Porównanie pamięci RAM G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 39

Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.7 8.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

14200 12800

Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2231 2650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns