Comparación de la memoria RAM G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Puntuación global

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 39

En -39% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.7 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

14200 12800

En 1.11 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2231 2650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns