G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.3 12.8

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 39

Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.7 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

14200 12800

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

39 28
Скорость чтения, Гб/сек

14.3 12.8
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 14200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2231 2650

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston KKN2NM-MIE 4GB

Kingston KKN2NM-MIE 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

Kingston 9905702-119.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

модули RAM