G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.3 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 39
    Около -39% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    9.7 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    14200 left arrow 12800
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.3 left arrow 12.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 9.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 14200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2231 left arrow 2650
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения