Confronto tra le RAM G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Punteggio complessivo

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 39

Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.7 8.4

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

14200 12800

Intorno 1.11 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2231 2650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns