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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
14200
12800
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
39
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
14200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2231
2650
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB Comparaison des RAM
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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