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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

総合得点
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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 12.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 39
    周辺 -39% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 12800
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.3 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 14200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2231 left arrow 2650

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