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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

総合得点
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14200
    周辺 1.2% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 49
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.7 left arrow 8.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 14200
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2427 left arrow 2650

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