RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
87
Около -93% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
870.4
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3102
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link