RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
92
Около -318% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3254
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link