RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3254
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link