RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
92
Wokół strony -318% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3254
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link