RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

PNY Electronics PNY 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 30
    Около 10% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.8 left arrow 10
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 10.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2234

PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
модули RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
модули RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
модули RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
модули RAM