RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
42
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2935
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link