RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2935
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link