RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
31
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
10.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.8
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2904
3606
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparações de RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link