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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
39
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2740
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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