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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
31
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
10.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
23
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.8
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2904
3260
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparações de RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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