RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
55
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
55
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link