RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
55
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
55
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2239
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link