RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
24
Velocidade de leitura, GB/s
16.4
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.0
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2729
2852
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link