RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
36
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
2474
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Relatar um erro
×
Bug description
Source link