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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
36
读取速度,GB/s
16.8
14.2
写入速度,GB/s
11.3
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2474
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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