RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
12.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
2869
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link