RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
30
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
10.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
2708
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link