RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
33
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
33
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3035
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link