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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
11.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
37
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3075
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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