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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
37
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
21
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3263
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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