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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
37
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
21
读取速度,GB/s
13.2
18.5
写入速度,GB/s
8.4
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3263
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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