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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
19.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
15.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3680
3371
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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