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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
40
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
14.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
40
Velocidade de leitura, GB/s
17.5
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
15.0
14.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3529
2965
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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