RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
40
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
40
Prędkość odczytu, GB/s
17.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
15.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3529
2965
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link