RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
9.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
2419
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link