Comparação RAM G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Pontuação geral

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

24 12.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

20.0 9.6

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Lista completa de especificações técnicas

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

4156 2443

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns