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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Pontuação geral
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
76
Por volta de 71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2606U1S 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
76
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
13.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3679
1809
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB Comparações de RAM
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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