RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Comparar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
22.8
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
15.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
22.8
Velocidade de escrita, GB/s
15.7
16.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3867
3792
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link