RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
49
Por volta de -133% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3116
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link