RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3314
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link