RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2682
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link