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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
49
71
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
71
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
1757
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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