RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1757
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link