RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
2,066.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
2349
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-126.A02LF 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link